| 编号 | LH2018357 |
| 项目名称 | 生长碘化铅单晶体的方法及系统 |
| 项目简介 |
本项目用分析纯的铅和碘为原料，在同一安瓿中完成原料合成与晶体生长工作。本项目用自主开发的上置籽晶垂直区域熔炼法生长晶体，不仅能够控制晶体的化学配比，还具有良好的提纯效果，所得单晶体的电阻率达到1012Ω·cm量级，可用于制造高能射线探测器。 用传统的垂直布里奇曼法生长的碘化铅单晶体，其电阻率在1010Ω·cm量级，不能用于制作探测器；在碘化铅晶体中掺杂，虽然能将电阻率提高到1012Ω·cm量级，但这会降低载流子的迁移速度，同样不能用于制作探测器；用U型安瓿上升法虽然可以生长出电阻率为1012Ω·cm量级的碘化铅单晶体，但需要以高纯碘化铅为原料，且需要消耗较多的高纯铅。本项目提供了一种很好的生长探测器级单晶体的方法，不仅降低了对原料纯度的要求，还有效地提高了成品率。 |
| 联系人 | 殷亮 |
| 联系电话 | 02557675219 |
